金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410061903.0

申请日：

2014-02-24

公开(公告)号：

CN103824887B

公开(公告)日：

2014-05-28

发明(设计)人：

简廷宪钟德镇吴婷婷戴文君

申请人：

申请人地址：

215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2951 H01L21336

代理机构：

上海波拓知识产权代理有限公司 31264

代理人：

苗燕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	授权	授权
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583214508 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014100619030 申请日:20140224
2019-11-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/786 变更事项:专利权人变更前:昆山龙腾光电有限公司变更后:昆山龙腾光电股份有限公司变更事项:地址变更前:215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号变更后:215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号
2014-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[2]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[3]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

董承远 ;

章雯 .

中国专利 :CN112259611B ,2024-09-24

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

董承远 ;

章雯 .

中国专利 :CN112259611A ,2021-01-22

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

章仟益 .

中国专利 :CN109256429B ,2019-01-22

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN108598171A ,2018-09-28

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 [P].

张良芬 ;

吴元均 ;

徐源竣 .

中国专利 :CN107275412A ,2017-10-20

[8]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

陈晓威 .

中国专利 :CN114678427A ,2022-06-28

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

陈信学 ;

林武雄 ;

陈勃学 .

中国专利 :CN102122672A ,2011-07-13

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

王培筠 ;

胡晋玮 ;

陈佳楷 ;

黄雅琴 ;

许庭毓 .

中国专利 :CN105206677B ,2015-12-30

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