一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711480196.9

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN108269856A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

林振国铃木浩司谢志强任思雨苏君海李建华

申请人：

申请人地址：

516029 广东省惠州市仲恺高新区新华大道南1号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2177 H01L21336

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

章兰芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-10	公开	公开
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20171229
2021-06-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及阵列基板 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN207925481U ,2018-09-28

[2]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

贺家煜 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

黄杰 ;

赵坤 ;

姚念琦 .

中国专利 :CN113809182A ,2021-12-17

[3]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

[4]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[5]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[6]

氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

楼均辉 ;

霍思涛 ;

姜文鑫 .

中国专利 :CN103928530A ,2014-07-16

[7]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 [P].

曹英 ;

刘祺 ;

马超 ;

杨津 .

中国专利 :CN106847890B ,2017-06-13

[8]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

王利忠 ;

周天民 ;

胡合合 ;

董水浪 ;

王文华 ;

姚念琦 .

中国专利 :CN112635570B ,2021-04-09

[9]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 [P].

刘翔 .

中国专利 :CN103715264A ,2014-04-09

[10]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 [P].

田茂坤 ;

王骏 ;

黄中浩 ;

董晓楠 .

中国专利 :CN109346526A ,2019-02-15

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