氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080007374.X

申请日：

2020-01-16

公开(公告)号：

CN113348562A

公开(公告)日：

2021-09-03

发明(设计)人：

寺前裕美西山功兵越智元隆后藤裕史

申请人：

申请人地址：

日本兵库县神户市中央区胁浜海岸通二丁目2番4号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

C23C1408 C23C1434 H01L2128 H01L21363 H01L2924 H01L29417

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-03	公开	公开
2021-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20200116

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

日本专利 :CN114761607B ,2024-06-28

[2]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

中国专利 :CN114761607A ,2022-07-15

[3]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

越智元隆 ;

后藤裕史 .

日本专利 :CN113348562B ,2024-04-23

[4]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

后藤裕史 ;

越智元隆 ;

日野绫 .

中国专利 :CN111226307B ,2020-06-02

[5]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法、以及溅射靶材 [P].

半那拓 ;

小林大士 ;

小野田淳吾 .

中国专利 :CN112335058A ,2021-02-05

[6]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法、以及溅射靶材 [P].

半那拓 ;

小林大士 ;

小野田淳吾 .

日本专利 :CN112335058B ,2024-03-08

[7]

溅射靶、氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管以及电子设备 [P].

大山正嗣 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN111032905A ,2020-04-17

[8]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材 [P].

西山功兵 ;

越智元隆 ;

寺前裕美 ;

川原田乔生 .

日本专利 :CN112018168B ,2024-09-20

[9]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材 [P].

西山功兵 ;

越智元隆 ;

寺前裕美 ;

川原田乔生 .

中国专利 :CN112018168A ,2020-12-01

[10]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

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