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氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010458017.7
申请日：
2020-05-26
公开(公告)号：
CN112018168A
公开(公告)日：
2020-12-01
发明(设计)人：
西山功兵
越智元隆
寺前裕美
川原田乔生
申请人：
申请人地址：
日本兵库县神户市中央区胁浜海岸通二丁目2番4号
IPC主分类号：
H01L2924
IPC分类号：
H01L29786
C23C1434
C23C1408
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
杨文娟;臧建明
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-12-01 | 公开 | 公开 |
| 2020-12-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/24 申请日:20200526 |