溅射靶、氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管以及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880050200.4

申请日：

2018-08-01

公开(公告)号：

CN111032905A

公开(公告)日：

2020-04-17

发明(设计)人：

大山正嗣丝濑麻美

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C04B3501 C04B35453 H01L21363

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

陈亦欧;毛立群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-17	公开	公开
2020-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20180801

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

后藤裕史 ;

越智元隆 ;

日野绫 .

中国专利 :CN111226307B ,2020-06-02

[2]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

日本专利 :CN114761607B ,2024-06-28

[3]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

越智元隆 ;

后藤裕史 .

日本专利 :CN113348562B ,2024-04-23

[4]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

越智元隆 ;

后藤裕史 .

中国专利 :CN113348562A ,2021-09-03

[5]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

中国专利 :CN114761607A ,2022-07-15

[6]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[7]

薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材 [P].

上野充 ;

清田淳也 ;

小林大士 ;

武井应树 ;

高桥一寿 ;

日高浩二 ;

川越裕 ;

武末健太郎 ;

和田优 .

中国专利 :CN108352410B ,2018-07-31

[8]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法、以及溅射靶材 [P].

半那拓 ;

小林大士 ;

小野田淳吾 .

中国专利 :CN112335058A ,2021-02-05

[9]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法、以及溅射靶材 [P].

半那拓 ;

小林大士 ;

小野田淳吾 .

日本专利 :CN112335058B ,2024-03-08

[10]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管 [P].

森田晋也 ;

三木绫 ;

安野聪 ;

钉宫敏洋 ;

岸智弥 .

中国专利 :CN103270602A ,2013-08-28

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