一种氧化物半导体薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420542610.X

申请日：

2014-09-22

公开(公告)号：

CN204243049U

公开(公告)日：

2015-04-01

发明(设计)人：

司红康金一琪

申请人：

申请人地址：

237005 安徽省六安市金安区梅山北路

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20140922 授权公告日:20150401 终止日期:20190922
2015-04-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN104362178A ,2015-02-18

[2]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[3]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[4]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN204243048U ,2015-04-01

[5]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN104183650A ,2014-12-03

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[7]

一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN104201111A ,2014-12-10

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管基板 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN203423181U ,2014-02-05

[9]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

[10]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

← 1 2 3 4 5 →