一种氧化物半导体薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410456678.0

申请日：

2014-09-10

公开(公告)号：

CN104183650A

公开(公告)日：

2014-12-03

发明(设计)人：

司红康金一琪

申请人：

申请人地址：

237005 安徽省六安市金安区梅山北路

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L29417

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-03	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700597283 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014104566780 申请日:20140910

共 50 条

[1]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN204243048U ,2015-04-01

[2]

一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN104201111A ,2014-12-10

[3]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN204243049U ,2015-04-01

[4]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[5]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管基板 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN203423181U ,2014-02-05

[10]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

← 1 2 3 4 5 →