一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410474652.9

申请日：

2014-09-18

公开(公告)号：

CN104201111A

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

司红康金一琪

申请人：

申请人地址：

237005 安徽省六安市金安区梅山北路

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700596799 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014104746529 申请日:20140918

共 50 条

[1]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN204243048U ,2015-04-01

[2]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN104183650A ,2014-12-03

[3]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[4]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN204243049U ,2015-04-01

[5]

一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN104362178A ,2015-02-18

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[7]

氧化物半导体薄膜的制备方法和薄膜晶体管的制备方法 [P].

孔祥永 .

中国专利 :CN105185695A ,2015-12-23

[8]

氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

姚琪 ;

张锋 ;

曹占锋 ;

何晓龙 ;

张斌 ;

李正亮 .

中国专利 :CN105140131A ,2015-12-09

[9]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[10]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

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