成膜方法和半导体装置的制造方法以及成膜装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811579350.2

申请日：

2018-12-24

公开(公告)号：

CN110029326A

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

永冈达司

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C23C1646

IPC分类号：

C23C1602 C23C1652

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/46 申请日:20181224
2019-07-19	公开	公开
2020-05-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C 16/46 登记生效日:20200410 变更事项:申请人变更前权利人:丰田自动车株式会社变更后权利人:株式会社电装变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县变更后权利人:日本爱知县

共 50 条

[1]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小宫隆行 .

中国专利 :CN102453886A ,2012-05-16

[2]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

洪锡亨 ;

高桥毅 ;

门田太一 .

中国专利 :CN114929933A ,2022-08-19

[3]

成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置和成膜装置 [P].

石坂忠大 ;

大岛康弘 ;

吉井直树 ;

重冈隆 ;

川村刚平 ;

福田幸夫 ;

小岛康彦 .

中国专利 :CN100405549C ,2005-12-07

[4]

成膜装置、成膜方法和半导体装置 [P].

佐藤强 ;

近藤弘康 ;

樱井直明 ;

添田胜之 ;

大城健一 ;

木村修一 .

中国专利 :CN102150234A ,2011-08-10

[5]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

中国专利 :CN115110026A ,2022-09-27

[6]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

日本专利 :CN115110026B ,2024-09-06

[7]

成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置 [P].

铃木启介 ;

门永健太郎 ;

两角友一朗 .

中国专利 :CN102956447A ,2013-03-06

[8]

半导体装置的制造方法和成膜装置 [P].

中岛伸二 ;

锦博彦 ;

见村浩英 ;

齐藤裕一 ;

武田悠二郎 ;

村重正悟 ;

石田和泉 ;

冈部达 .

中国专利 :CN110121765A ,2019-08-13

[9]

成膜方法、成膜装置、存储介质以及半导体装置 [P].

堀込正弘 ;

广濑繁和 .

中国专利 :CN101399169B ,2009-04-01

[10]

成膜方法、半导体装置的制造方法、成膜装置及程序 [P].

平祐树 ;

门岛胜 .

日本专利 :CN118435331A ,2024-08-02

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