成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210285230.8

申请日：

2012-08-10

公开(公告)号：

CN102956447A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

铃木启介门永健太郎两角友一朗

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	授权	授权
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576122092 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2012102852308 申请日:20120810

共 50 条

[1]

成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置和成膜装置 [P].

石坂忠大 ;

大岛康弘 ;

吉井直树 ;

重冈隆 ;

川村刚平 ;

福田幸夫 ;

小岛康彦 .

中国专利 :CN100405549C ,2005-12-07

[2]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

日本专利 :CN115110026B ,2024-09-06

[3]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

中国专利 :CN115110026A ,2022-09-27

[4]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小宫隆行 .

中国专利 :CN102453886A ,2012-05-16

[5]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

洪锡亨 ;

高桥毅 ;

门田太一 .

中国专利 :CN114929933A ,2022-08-19

[6]

成膜方法、半导体装置的制造方法、成膜装置及程序 [P].

平祐树 ;

门岛胜 .

日本专利 :CN118435331A ,2024-08-02

[7]

成膜装置、成膜方法和半导体装置 [P].

佐藤强 ;

近藤弘康 ;

樱井直明 ;

添田胜之 ;

大城健一 ;

木村修一 .

中国专利 :CN102150234A ,2011-08-10

[8]

成膜方法和半导体装置的制造方法以及成膜装置 [P].

永冈达司 .

中国专利 :CN110029326A ,2019-07-19

[9]

氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

吉本昌广 .

中国专利 :CN112048765A ,2020-12-08

[10]

氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

吉本昌广 .

中国专利 :CN112048759A ,2020-12-08

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