氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010501607.3

申请日：

2020-06-04

公开(公告)号：

CN112048765A

公开(公告)日：

2020-12-08

发明(设计)人：

永冈达司西中浩之吉本昌广

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2502 C30B3302 C23C1640 C23C16448 C23C1656 H01L21368 H01L2167

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

何冲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20200604
2021-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/16 登记生效日:20210201 变更事项:申请人变更前权利人:丰田自动车株式会社变更后权利人:株式会社电装变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县变更后权利人:日本爱知县变更事项:申请人变更前权利人:国立大学法人京都工芸纤维大学变更后权利人:国立大学法人京都工芸纤维大学

共 50 条

[1]

氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

吉本昌广 .

中国专利 :CN112048759A ,2020-12-08

[2]

氧化膜成膜方法及氧化膜成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

平松孝浩 .

中国专利 :CN103648974A ,2014-03-19

[3]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

中国专利 :CN115110026A ,2022-09-27

[4]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

日本专利 :CN115110026B ,2024-09-06

[5]

金属氧化膜的成膜方法及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

吉田章男 ;

小仓正久 ;

白幡孝洋 ;

田中修司 .

中国专利 :CN102165096A ,2011-08-24

[6]

成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置 [P].

铃木启介 ;

门永健太郎 ;

两角友一朗 .

中国专利 :CN102956447A ,2013-03-06

[7]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

龟山直季 ;

川原村敏幸 .

中国专利 :CN102482777B ,2012-05-30

[8]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

亀山直季 .

中国专利 :CN102405305A ,2012-04-04

[9]

金属氧化膜的成膜装置、金属氧化膜的制造方法及金属氧化膜 [P].

白幡孝洋 ;

织田容征 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

川原村敏幸 .

中国专利 :CN102918178B ,2013-02-06

[10]

成膜方法、半导体装置的制造方法、成膜装置及程序 [P].

平祐树 ;

门岛胜 .

日本专利 :CN118435331A ,2024-08-02

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