成膜装置、成膜方法和半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980135993.0

申请日：

2009-11-05

公开(公告)号：

CN102150234A

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

佐藤强近藤弘康樱井直明添田胜之大城健一木村修一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F716 H01L2131 H01L21312 H01L21316

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶;李昆岐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	公开	公开
2011-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101110108121 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2009801359930 申请日:20091105
2014-11-05	授权	授权

共 50 条

[1]

成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置和成膜装置 [P].

石坂忠大 ;

大岛康弘 ;

吉井直树 ;

重冈隆 ;

川村刚平 ;

福田幸夫 ;

小岛康彦 .

中国专利 :CN100405549C ,2005-12-07

[2]

成膜方法和半导体装置的制造方法以及成膜装置 [P].

永冈达司 .

中国专利 :CN110029326A ,2019-07-19

[3]

成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置 [P].

铃木启介 ;

门永健太郎 ;

两角友一朗 .

中国专利 :CN102956447A ,2013-03-06

[4]

成膜方法、成膜装置、存储介质以及半导体装置 [P].

堀込正弘 ;

广濑繁和 .

中国专利 :CN101399169B ,2009-04-01

[5]

非晶碳膜、半导体装置、成膜方法、成膜装置和存储介质 [P].

菊地良幸 ;

小林保男 ;

川村刚平 ;

野沢俊久 ;

石川拓 .

中国专利 :CN101548368A ,2009-09-30

[6]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小宫隆行 .

中国专利 :CN102453886A ,2012-05-16

[7]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

日本专利 :CN115110026B ,2024-09-06

[8]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

中国专利 :CN115110026A ,2022-09-27

[9]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

洪锡亨 ;

高桥毅 ;

门田太一 .

中国专利 :CN114929933A ,2022-08-19

[10]

成膜方法、成膜装置及存储介质以及半导体装置 [P].

松冈孝明 ;

堀込正弘 .

中国专利 :CN101449365A ,2009-06-03

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