非晶硅膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811275135.3

申请日：

2018-10-30

公开(公告)号：

CN109841499A

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

辛昌学崔暎喆

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384

代理人：

郑青松

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-04	公开	公开
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181030

共 50 条

[1]

非晶质硅膜的形成方法 [P].

崔暎喆 .

中国专利 :CN107768244A ,2018-03-06

[2]

沉积非晶硅膜的方法 [P].

加施·帕特尔 ;

刘玉菲 .

中国专利 :CN103938179A ,2014-07-23

[3]

非晶硅薄膜形成方法 [P].

朱黎敏 ;

陆涵蔚 ;

华光平 ;

徐云 ;

张博 .

中国专利 :CN113506721A ,2021-10-15

[4]

沉积非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN109148263A ,2019-01-04

[5]

非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 .

中国专利 :CN109285759A ,2019-01-29

[6]

微晶硅薄膜的形成方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101237005A ,2008-08-06

[7]

非晶硅形成用组合物和使用该组合物的非晶硅膜的制造方法 [P].

中本奈绪子 ;

高岸秀行 ;

藤原嵩士 ;

佐藤敦彦 .

中国专利 :CN114729226A ,2022-07-08

[8]

非晶硅形成用组合物和使用该组合物的非晶硅膜的制造方法 [P].

中本奈绪子 ;

高岸秀行 ;

藤原嵩士 ;

佐藤敦彦 .

德国专利 :CN114729226B ,2024-01-26

[9]

非晶硅牺牲膜的制备方法和用于形成非晶硅的组合物 [P].

中本奈绪子 ;

藤原嵩士 ;

佐藤敦彦 .

中国专利 :CN113166424A ,2021-07-23

[10]

纳米晶硅的形成方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101245489A ,2008-08-20

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