非晶质硅膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710201313.7

申请日：

2017-03-30

公开(公告)号：

CN107768244A

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

崔暎喆

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

代理机构：

北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384

代理人：

郑青松

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-06	公开	公开
2021-08-13	授权	授权
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请日:20170330

共 50 条

[1]

非晶硅膜的形成方法 [P].

辛昌学 ;

崔暎喆 .

中国专利 :CN109841499A ,2019-06-04

[2]

非晶质硅膜的结晶方法 [P].

柳明官 ;

李镐年 ;

朴宰徹 ;

金亿洙 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1622280A ,2005-06-01

[3]

纳米晶硅的形成方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101245489A ,2008-08-20

[4]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

王剑敏 ;

葛哲玮 .

中国专利 :CN112331556A ,2021-02-05

[5]

硅晶片的氧化膜形成方法 [P].

大槻刚 ;

户部敏视 ;

水泽康 .

中国专利 :CN102017098A ,2011-04-13

[6]

非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 .

中国专利 :CN109285759A ,2019-01-29

[7]

沉积非晶硅膜的方法 [P].

加施·帕特尔 ;

刘玉菲 .

中国专利 :CN103938179A ,2014-07-23

[8]

非晶质透明导电膜和非晶质透明导电膜的制造方法 [P].

岛根幸朗 ;

井上一吉 ;

松原雅人 ;

田中信夫 ;

笘井重和 ;

矢野公规 ;

松崎滋夫 .

中国专利 :CN101138052B ,2008-03-05

[9]

硅氧化膜的形成方法和装置 [P].

壁义郎 ;

中村秀雄 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN102165568A ,2011-08-24

[10]

微晶硅薄膜的形成方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101237005A ,2008-08-06

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