非晶质硅膜的结晶方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410057765.5

申请日：

2004-08-17

公开(公告)号：

CN1622280A

公开(公告)日：

2005-06-01

发明(设计)人：

柳明官李镐年朴宰徹金亿洙孙暻锡李俊昊权世烈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

G02F1136

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮;杨梧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-09-26	授权	授权
2005-06-01	公开	公开
2014-11-26	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706834336 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2004100577655 专利号:ZL2004100577655 合同备案号:2014990000768 让与人:海帝士科技公司受让人:京东方科技集团股份有限公司发明名称:非晶质硅膜的结晶方法申请日:20040817 申请公布日:20050601 授权公告日:20070926 许可种类:普通许可备案日期:20140924
2014-08-06	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101703530372 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2004100577655 变更事项:专利权人变更前:京东方显示器科技公司变更后:海帝士科技公司变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道

共 50 条

[1]

非晶质硅膜的形成方法 [P].

崔暎喆 .

中国专利 :CN107768244A ,2018-03-06

[2]

非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 ;

长田幸三 ;

挂野崇 .

中国专利 :CN105063555A ,2015-11-18

[3]

非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN101688288A ,2010-03-31

[4]

非晶质透明导电膜和非晶质透明导电膜的制造方法 [P].

岛根幸朗 ;

井上一吉 ;

松原雅人 ;

田中信夫 ;

笘井重和 ;

矢野公规 ;

松崎滋夫 .

中国专利 :CN101138052B ,2008-03-05

[5]

用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1909189A ,2007-02-07

[6]

用于优化非晶硅的结晶的系统和方法 [P].

B·A·特克 ;

B·伯范德特 ;

D·S·诺尔斯 .

中国专利 :CN101517135A ,2009-08-26

[7]

一种生产非晶质硅钾肥的方法 [P].

赵风兰 .

中国专利 :CN1690017A ,2005-11-02

[8]

非晶质硬质碳被膜 [P].

诸贯正树 ;

松井崇 ;

内海庆春 ;

大原久典 .

中国专利 :CN101341274A ,2009-01-07

[9]

非晶质合金粒子和非晶质合金粒子的制造方法 [P].

中野学 .

中国专利 :CN111491753A ,2020-08-04

[10]

非晶质铁心的制造方法 [P].

林俊铭 ;

邱永郎 .

中国专利 :CN1845273A ,2006-10-11

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