用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510089062.5

申请日：

2005-08-03

公开(公告)号：

CN1909189A

公开(公告)日：

2007-02-07

发明(设计)人：

孙铭伟

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21336 G02F11368

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

任默闻

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-02-07	公开	公开
2008-07-23	授权	授权

共 50 条

[1]

利用掩膜使非晶硅结晶的方法 [P].

郑允皓 .

中国专利 :CN1252796C ,2003-01-01

[2]

用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法 [P].

张茂益 ;

张志雄 .

中国专利 :CN101655645B ,2010-02-24

[3]

用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法 [P].

张茂益 ;

张志雄 .

中国专利 :CN1924683A ,2007-03-07

[4]

一种用于连续横向结晶技术的掩膜及使用该掩膜的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1933098A ,2007-03-21

[5]

应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN101202218A ,2008-06-18

[6]

将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜 [P].

朱芳村 ;

陈昱丞 .

中国专利 :CN101030032A ,2007-09-05

[7]

非晶质硅膜的结晶方法 [P].

柳明官 ;

李镐年 ;

朴宰徹 ;

金亿洙 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1622280A ,2005-06-01

[8]

用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法 [P].

姜明求 ;

金縣裁 ;

姜淑映 .

中国专利 :CN1586013A ,2005-02-23

[9]

抗结晶的基于非晶硅的膜 [P].

A·爱丁 ;

K·尼塔拉 ;

K·嘉纳基拉曼 ;

Y·杨 ;

G·K·赫玛尼 .

中国专利 :CN114830294A ,2022-07-29

[10]

用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法 [P].

赵志伟 .

中国专利 :CN1892420A ,2007-01-10

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