用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910168962.7

申请日：

2005-08-30

公开(公告)号：

CN101655645B

公开(公告)日：

2010-02-24

发明(设计)人：

张茂益张志雄

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市科学工业园区

IPC主分类号：

G02F11368

IPC分类号：

H01L21268

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

任默闻

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-16	授权	授权
2010-02-24	公开	公开
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001108585 IPC(主分类):G02F 1/1368 专利申请号:2009101689627 申请日:20050830

共 50 条

[1]

用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法 [P].

张茂益 ;

张志雄 .

中国专利 :CN1924683A ,2007-03-07

[2]

用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1909189A ,2007-02-07

[3]

一种用于连续横向结晶技术的掩膜及使用该掩膜的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1933098A ,2007-03-21

[4]

激光结晶方法 [P].

裵俊和 ;

秋秉权 ;

罗正均 ;

郑炳昊 ;

赵珠完 .

中国专利 :CN106653587A ,2017-05-10

[5]

用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法 [P].

姜明求 ;

金縣裁 ;

姜淑映 .

中国专利 :CN1586013A ,2005-02-23

[6]

结晶装置及结晶方法 [P].

邵帅 ;

张云堂 ;

王晶晓 .

中国专利 :CN116943270B ,2025-09-05

[7]

一种激光结晶设备和激光结晶方法 [P].

黄鑫 ;

郑熠 ;

王帅华 ;

许谢铭 ;

陈旻 ;

吴少凡 .

中国专利 :CN121183430A ,2025-12-23

[8]

一种结晶镁的结晶方法及结晶装置 [P].

白洋 ;

炊英锋 ;

苗壮 ;

李峰 ;

陈青锋 ;

孟浩杰 .

中国专利 :CN120330501A ,2025-07-18

[9]

膜蒸馏结晶技术制备硫酸锰的方法 [P].

叶日英 ;

吴卓洪 ;

陈家坤 ;

梁机 ;

冯世威 ;

江凯丽 ;

邱东 .

中国专利 :CN108236790A ,2018-07-03

[10]

一种激光结晶的方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1246509C ,2004-08-04

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