用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510082849.9

申请日：

2005-07-08

公开(公告)号：

CN1892420A

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

赵志伟

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

G03F108

IPC分类号：

G03F100 G03F700 H01L21027

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

任默闻

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-10	公开	公开
2010-05-05	授权	授权
2007-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[2]

形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

翁健森 ;

张志清 .

中国专利 :CN1333447C ,2005-03-09

[3]

多晶硅膜层形貌的形成方法 [P].

王伟军 ;

奚鹏程 ;

杨冰 .

中国专利 :CN103943486A ,2014-07-23

[4]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

[5]

多晶硅层的制造方法及用于其的金属混合层形成装置 [P].

李炳一 ;

张熙燮 ;

朴暻完 .

中国专利 :CN102770946A ,2012-11-07

[6]

用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1909189A ,2007-02-07

[7]

一种用于连续横向结晶技术的掩膜及使用该掩膜的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1933098A ,2007-03-21

[8]

形成多晶硅锗层的方法 [P].

褚国栋 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1664990A ,2005-09-07

[9]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[10]

掩模与应用其形成多晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN100570824C ,2008-12-17

← 1 2 3 4 5 →