多晶硅层的制造方法及用于其的金属混合层形成装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180010230.0

申请日：

2011-02-24

公开(公告)号：

CN102770946A

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

李炳一张熙燮朴暻完

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

姜虎;陈英俊

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723244046 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2011800102300 申请公布日:20121107
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101399717747 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2011800102300 申请日:20110224
2012-11-07	公开	公开

共 50 条

[1]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[2]

制造多晶硅层的方法 [P].

陈亦伟 ;

张志雄 ;

许宗义 .

中国专利 :CN1300825C ,2005-03-02

[3]

多晶硅层、制造其的方法和平板显示器 [P].

梁泰勋 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

朴炳建 .

中国专利 :CN100585838C ,2007-06-20

[4]

多晶硅层的制作方法 [P].

蔡依芸 ;

丘绍裕 ;

马佳萱 ;

游培甄 .

中国专利 :CN101409230A ,2009-04-15

[5]

形成多晶硅层的方法、TFT及制造方法和有机发光显示装置 [P].

郑胤谋 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

郑珉在 ;

朴承圭 ;

孙榕德 ;

苏炳洙 ;

朴炳建 ;

李吉远 ;

李东炫 ;

李卓泳 ;

朴种力 .

中国专利 :CN102386070B ,2012-03-21

[6]

形成多晶硅锗层的方法 [P].

褚国栋 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1664990A ,2005-09-07

[7]

多晶硅层及其制造方法 [P].

林炯暐 ;

李圣琦 ;

陈易良 ;

黄瑞成 ;

邓德华 .

中国专利 :CN100485869C ,2007-12-26

[8]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[9]

光罩与应用其形成多晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1632696A ,2005-06-29

[10]

形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法 [P].

李东炫 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

梁泰勋 ;

马克西姆·莉萨契克 ;

朴炳建 ;

李吉远 ;

郑在琓 .

中国专利 :CN102064089B ,2011-05-18

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