光罩与应用其形成多晶硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510004161.9

申请日：

2005-01-12

公开(公告)号：

CN1632696A

公开(公告)日：

2005-06-29

发明(设计)人：

孙铭伟

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号

IPC主分类号：

G03F108

IPC分类号：

G03F700 H01L2100

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

任永武

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-29	公开	公开
2005-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-02-14	授权	授权

共 50 条

[1]

掩模与应用其形成多晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN100570824C ,2008-12-17

[2]

形成多晶硅层的方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1585089A ,2005-02-23

[3]

制造多晶硅层的方法及其光罩 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1614745A ,2005-05-11

[4]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

[5]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[6]

形成多晶硅锗层的方法 [P].

褚国栋 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1664990A ,2005-09-07

[7]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[8]

形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

翁健森 ;

张志清 .

中国专利 :CN1333447C ,2005-03-09

[9]

于基板上形成多晶硅层的方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1301535C ,2005-01-26

[10]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

陈宏泽 ;

陈昱丞 ;

朱芳村 .

中国专利 :CN1992167A ,2007-07-04

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