形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010506428.5

申请日：

2010-10-12

公开(公告)号：

CN102064089B

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

李东炫李基龙徐晋旭梁泰勋马克西姆·莉萨契克朴炳建李吉远郑在琓

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336 H01L2732

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

韩明星;金光军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-18	公开	公开
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367526808 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105064285 申请日:20101012
2016-03-02	授权	授权
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101480964616 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105064285 变更事项:申请人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道龙仁市变更后权利人:韩国京畿道龙仁市登记生效日:20121105

共 50 条

[1]

制造多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法 [P].

李东炫 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

梁泰勋 ;

郑胤谟 ;

朴炳建 ;

李吉远 ;

朴钟力 ;

崔宝京 ;

苏炳洙 .

中国专利 :CN102082077B ,2011-06-01

[2]

形成多晶硅膜的方法、薄膜晶体管和显示装置 [P].

孙榕德 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

郑珉在 ;

李卓泳 .

中国专利 :CN103681349A ,2014-03-26

[3]

多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

杨芸佩 ;

邓德华 ;

施智仁 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN101005016A ,2007-07-25

[4]

形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

翁健森 ;

张志清 .

中国专利 :CN1333447C ,2005-03-09

[5]

形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

彭佳添 ;

廖龙盛 ;

曹义昌 .

中国专利 :CN1314090C ,2004-06-30

[6]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

[7]

形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

金彬 ;

金海烈 ;

裵钟旭 .

中国专利 :CN1319123C ,2004-05-26

[8]

形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管和有机发光装置 [P].

朴炳建 ;

朴钟力 ;

郑胤谟 ;

李卓泳 ;

徐晋旭 ;

李基龙 ;

郑珉在 ;

孙榕德 ;

苏炳洙 ;

朴承圭 ;

李东炫 ;

李吉远 ;

郑在琓 .

中国专利 :CN102386069A ,2012-03-21

[9]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 [P].

敏健 ;

李小龙 ;

高涛 ;

李良坚 ;

许正印 .

中国专利 :CN107636839A ,2018-01-26

[10]

薄膜晶体管的多晶硅制造方法 [P].

范庆麟 .

中国专利 :CN100342493C ,2005-01-19

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