制造多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010517117.9

申请日：

2010-10-15

公开(公告)号：

CN102082077B

公开(公告)日：

2011-06-01

发明(设计)人：

李东炫李基龙徐晋旭梁泰勋郑胤谟朴炳建李吉远朴钟力崔宝京苏炳洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336 H01L2732 H01L5156

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

韩明星;李娜娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101088326313 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105171179 申请日:20101015 号牌文件类型代码:1604
2012-12-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101488974234 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105171179 变更事项:申请人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道龙仁市变更后权利人:韩国京畿道龙仁市登记生效日:20121122
2021-09-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20101015 授权公告日:20140709 终止日期:20201015
2011-06-01	公开	公开
2014-07-09	授权	授权

共 50 条

[1]

形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管、显示装置及制造方法 [P].

李东炫 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

梁泰勋 ;

马克西姆·莉萨契克 ;

朴炳建 ;

李吉远 ;

郑在琓 .

中国专利 :CN102064089B ,2011-05-18

[2]

多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

杨芸佩 ;

邓德华 ;

施智仁 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN101005016A ,2007-07-25

[3]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

[4]

薄膜晶体管的多晶硅制造方法 [P].

范庆麟 .

中国专利 :CN100342493C ,2005-01-19

[5]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 [P].

敏健 ;

李小龙 ;

高涛 ;

李良坚 ;

许正印 .

中国专利 :CN107636839A ,2018-01-26

[6]

薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN1801467A ,2006-07-12

[7]

薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及显示装置 [P].

朴钟贤 ;

柳春基 ;

朴鲜 ;

姜镇熙 ;

李律圭 .

中国专利 :CN102214697A ,2011-10-12

[8]

多晶硅层的制造方法和薄膜晶体管的制造方法 [P].

邢升阳 .

中国专利 :CN106783544A ,2017-05-31

[9]

形成多晶硅膜的方法、薄膜晶体管和显示装置 [P].

孙榕德 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

郑珉在 ;

李卓泳 .

中国专利 :CN103681349A ,2014-03-26

[10]

利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法 [P].

宋溱镐 ;

崔埈厚 ;

崔凡洛 ;

姜明求 ;

姜淑映 .

中国专利 :CN100397660C ,2005-07-13

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