多晶硅层的制造方法和薄膜晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611207483.8

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN106783544A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

邢升阳

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

李庆波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729162333 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016112074838 申请日:20161223
2020-01-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20170531

共 50 条

[1]

薄膜晶体管的多晶硅制造方法 [P].

范庆麟 .

中国专利 :CN100342493C ,2005-01-19

[2]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

[3]

薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN1801467A ,2006-07-12

[4]

多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法 [P].

杨芸佩 ;

邓德华 ;

施智仁 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN101005016A ,2007-07-25

[5]

形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

彭佳添 ;

廖龙盛 ;

曹义昌 .

中国专利 :CN1314090C ,2004-06-30

[6]

多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

凌代年 ;

邱成峰 ;

彭华军 ;

黄飚 .

中国专利 :CN102610519A ,2012-07-25

[7]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

高孝裕 ;

李喜峰 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN101414564A ,2009-04-22

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

林辉巨 .

中国专利 :CN1567549A ,2005-01-19

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

曹义昌 .

中国专利 :CN1581450A ,2005-02-16

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

孟林 .

中国专利 :CN105390534A ,2016-03-09

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