应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710160996.2

申请日：

2007-12-19

公开(公告)号：

CN101202218A

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

孙铭伟

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21268 H01L21336 B23K2606

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

任默闻

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	授权	授权
2008-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-18	公开	公开

共 4 条

[1]

用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1909189A ,2007-02-07

[2]

改善在氧化硅上的超薄非晶硅膜的连续性的预处理方法 [P].

程睿 ;

Y·杨 ;

陈一宏 ;

K·嘉纳基拉曼 ;

A·B·玛里克 .

中国专利 :CN110709967A ,2020-01-17

[3]

将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜 [P].

朱芳村 ;

陈昱丞 .

中国专利 :CN101030032A ,2007-09-05

[4]

应用于晶硅太阳电池的宽带隙电子选择性接触结构及方法 [P].

钟思华 ;

吴泽昊 ;

钱程 ;

岳宗毅 .

中国专利 :CN120916532A ,2025-11-07