应用于晶硅太阳电池的宽带隙电子选择性接触结构及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511037828.9

申请日：

2025-07-28

公开(公告)号：

CN120916532A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

钟思华吴泽昊钱程岳宗毅

申请人：

江苏海洋大学

申请人地址：

222000 江苏省连云港市海州区苍梧路59号

IPC主分类号：

H10F77/30

IPC分类号：

H10F10/14 H10F71/00

代理机构：

连云港抚正专利代理事务所(普通合伙) 32865

代理人：

任永强

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省连云港市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 77/30申请日:20250728

共 50 条

[1]

一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触 [P].

钟思华 ;

王广一 ;

张晨旭 ;

黄超 ;

孙衡 .

中国专利 :CN111900228B ,2020-11-06

[2]

具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池 [P].

袁正国 ;

谢毅 ;

沈文忠 ;

马胜 ;

李正平 ;

丁冬 .

中国专利 :CN223463291U ,2025-10-21

[3]

一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池 [P].

杨新波 ;

高锟 .

中国专利 :CN114937707B ,2024-08-20

[4]

一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池 [P].

杨新波 ;

高锟 .

中国专利 :CN114937707A ,2022-08-23

[5]

制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法 [P].

方结彬 .

中国专利 :CN102082210A ,2011-06-01

[6]

前表面局部多晶硅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

李林华 ;

胡雪峰 .

中国专利 :CN118486757A ,2024-08-13

[7]

具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池及其制备方法 [P].

袁正国 ;

谢毅 ;

沈文忠 ;

马胜 ;

李正平 ;

丁冬 .

中国专利 :CN119325303A ,2025-01-17

[8]

一种电子选择性钝化接触结构及其制备方法和晶体硅太阳电池 [P].

孟蓝翔 ;

赵会会 ;

梁宗存 ;

王文贤 ;

洪洋 ;

李建新 ;

宋海香 .

中国专利 :CN118198153A ,2024-06-14

[9]

一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池及其制备方法 [P].

张树德 ;

钱洪强 ;

李跃 ;

连维飞 ;

魏青竹 ;

倪志春 ;

鲁科 ;

杨智 .

中国专利 :CN110233179A ,2019-09-13

[10]

基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池 [P].

沈文忠 ;

李正平 .

中国专利 :CN112736151B ,2021-04-30

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