制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010594209.7

申请日：

2010-12-18

公开(公告)号：

CN102082210A

公开(公告)日：

2011-06-01

发明(设计)人：

方结彬

申请人：

申请人地址：

528100 广东省佛山市三水区三水工业园区C区69号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310224

代理机构：

广州市深研专利事务所 44229

代理人：

陈雅平

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101495802134 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010105942097 申请公布日:20110601
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088325413 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010105942097 申请日:20101218
2011-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 [P].

包诞文 .

中国专利 :CN102723401A ,2012-10-10

[2]

具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池 [P].

梁宗存 ;

曾飞 ;

沈辉 .

中国专利 :CN202076275U ,2011-12-14

[3]

晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺 [P].

穆汉 ;

朱敏杰 ;

马跃 .

中国专利 :CN101976707A ,2011-02-16

[4]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[5]

多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺 [P].

魏青竹 ;

王景霄 ;

马跃 ;

穆汉 .

中国专利 :CN101916797A ,2010-12-15

[6]

选择性发射极太阳电池的制备方法 [P].

徐冬星 ;

石劲超 .

中国专利 :CN101950780B ,2011-01-19

[7]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

陈坤 ;

郭爱华 ;

郑战军 ;

许佳平 ;

陈亮 .

中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26

[8]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

闻震利 ;

张辉 ;

窦永铭 .

中国专利 :CN202049973U ,2011-11-23

[9]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

时宝 ;

吕俊 ;

陈燕 ;

杨敏 ;

倪志春 .

中国专利 :CN102437248A ,2012-05-02

[10]

一种选择性发射极太阳电池 [P].

班群 ;

康凯 ;

陈刚 .

中国专利 :CN202585438U ,2012-12-05

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