选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210143518.1

申请日：

2012-05-10

公开(公告)号：

CN102723401A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

包诞文

申请人：

申请人地址：

257091 山东省东营市经济技术开发区淮河路79号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

东营双桥专利代理有限责任公司 37107

代理人：

王锡洪

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730189193 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012101435181 申请公布日:20121010
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101451561251 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012101435181 申请日:20120510
2012-10-10	公开	公开

共 50 条

[1]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[2]

晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺 [P].

穆汉 ;

朱敏杰 ;

马跃 .

中国专利 :CN101976707A ,2011-02-16

[3]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

陈坤 ;

郭爱华 ;

郑战军 ;

许佳平 ;

陈亮 .

中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26

[4]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

闻震利 ;

张辉 ;

窦永铭 .

中国专利 :CN202049973U ,2011-11-23

[5]

具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池 [P].

梁宗存 ;

曾飞 ;

沈辉 .

中国专利 :CN202076275U ,2011-12-14

[6]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张春华 ;

周剑 ;

李栋 ;

向宏伟 ;

高文丽 ;

孟祥熙 ;

辛国军 .

中国专利 :CN102983214B ,2013-03-20

[7]

一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法 [P].

廖明墩 ;

吴晓钟 ;

沈艳 ;

王学林 ;

刘自龙 .

中国专利 :CN103151428A ,2013-06-12

[8]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 [P].

屈盛 .

中国专利 :CN101820009A ,2010-09-01

[9]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

梁宗存 ;

沈辉 ;

曾飞 ;

陈达明 .

中国专利 :CN101533874A ,2009-09-16

[10]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

王登志 ;

王栩生 ;

邢国强 .

中国专利 :CN104659159A ,2015-05-27

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