一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210467727.1

申请日：

2012-11-19

公开(公告)号：

CN102983214B

公开(公告)日：

2013-03-20

发明(设计)人：

张春华周剑李栋向宏伟高文丽孟祥熙辛国军

申请人：

申请人地址：

215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

陶海锋;陆金星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	公开	公开
2013-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101438520332 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012104677271 申请日:20121119
2015-05-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

时宝 ;

吕俊 ;

陈燕 ;

杨敏 ;

倪志春 .

中国专利 :CN102437248A ,2012-05-02

[2]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[3]

选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 [P].

包诞文 .

中国专利 :CN102723401A ,2012-10-10

[4]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

陈坤 ;

郭爱华 ;

郑战军 ;

许佳平 ;

陈亮 .

中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26

[5]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

闻震利 ;

张辉 ;

窦永铭 .

中国专利 :CN202049973U ,2011-11-23

[6]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

王登志 ;

王栩生 ;

邢国强 .

中国专利 :CN104659159A ,2015-05-27

[7]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张为国 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN102593244A ,2012-07-18

[8]

一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法 [P].

廖明墩 ;

吴晓钟 ;

沈艳 ;

王学林 ;

刘自龙 .

中国专利 :CN103151428A ,2013-06-12

[9]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

梁宗存 ;

沈辉 ;

曾飞 ;

陈达明 .

中国专利 :CN101533874A ,2009-09-16

[10]

具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池 [P].

梁宗存 ;

曾飞 ;

沈辉 .

中国专利 :CN202076275U ,2011-12-14

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