一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110430402.1

申请日：

2011-12-21

公开(公告)号：

CN102437248A

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

时宝吕俊陈燕杨敏倪志春

申请人：

申请人地址：

211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

程化铭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272512214 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2011104304021 申请日:20111221
2014-01-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101687694387 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2011104304021 申请公布日:20120502
2012-05-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张春华 ;

周剑 ;

李栋 ;

向宏伟 ;

高文丽 ;

孟祥熙 ;

辛国军 .

中国专利 :CN102983214B ,2013-03-20

[2]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[3]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

陈坤 ;

郭爱华 ;

郑战军 ;

许佳平 ;

陈亮 .

中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26

[4]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

闻震利 ;

张辉 ;

窦永铭 .

中国专利 :CN202049973U ,2011-11-23

[5]

选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 [P].

包诞文 .

中国专利 :CN102723401A ,2012-10-10

[6]

具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池 [P].

梁宗存 ;

曾飞 ;

沈辉 .

中国专利 :CN202076275U ,2011-12-14

[7]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 [P].

屈盛 .

中国专利 :CN101820009A ,2010-09-01

[8]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

梁宗存 ;

沈辉 ;

曾飞 ;

陈达明 .

中国专利 :CN101533874A ,2009-09-16

[9]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

王登志 ;

王栩生 ;

邢国强 .

中国专利 :CN104659159A ,2015-05-27

[10]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张为国 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN102593244A ,2012-07-18

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