一种选择性发射极晶体硅太阳电池

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120165718.8

申请日：

2011-05-23

公开(公告)号：

CN202049973U

公开(公告)日：

2011-11-23

发明(设计)人：

闻震利张辉窦永铭

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市火炬高新区创业园创业楼710室

IPC主分类号：

H01L31042

IPC分类号：

H01L310224 H01L310216 H01L310352

代理机构：

福建炼海律师事务所 35215

代理人：

许育辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	授权	授权
2015-07-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101616558602 IPC(主分类):H01L 31/042 专利号:ZL2011201657188 申请日:20110523 授权公告日:20111123 终止日期:20140523

共 50 条

[1]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

陈坤 ;

郭爱华 ;

郑战军 ;

许佳平 ;

陈亮 .

中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26

[2]

具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池 [P].

梁宗存 ;

曾飞 ;

沈辉 .

中国专利 :CN202076275U ,2011-12-14

[3]

选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 [P].

包诞文 .

中国专利 :CN102723401A ,2012-10-10

[4]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[5]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张为国 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN102593244A ,2012-07-18

[6]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

时宝 ;

吕俊 ;

陈燕 ;

杨敏 ;

倪志春 .

中国专利 :CN102437248A ,2012-05-02

[7]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

张春华 ;

周剑 ;

李栋 ;

向宏伟 ;

高文丽 ;

孟祥熙 ;

辛国军 .

中国专利 :CN102983214B ,2013-03-20

[8]

一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法 [P].

廖明墩 ;

吴晓钟 ;

沈艳 ;

王学林 ;

刘自龙 .

中国专利 :CN103151428A ,2013-06-12

[9]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 [P].

屈盛 .

中国专利 :CN101820009A ,2010-09-01

[10]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

梁宗存 ;

沈辉 ;

曾飞 ;

陈达明 .

中国专利 :CN101533874A ,2009-09-16

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