多晶硅选择性发射极太阳电池制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010226466.5

申请日：

2010-07-14

公开(公告)号：

CN101916797A

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

魏青竹王景霄马跃穆汉

申请人：

申请人地址：

226200 江苏省南通市启东市经济开发区林洋路888号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

南通市永通专利事务所 32100

代理人：

葛雷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-15	公开	公开
2013-03-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101553993473 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010102264665 申请公布日:20101215
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035091382 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010102264665 申请日:20100714

共 50 条

[1]

晶体硅选择性发射极太阳电池制造工艺 [P].

穆汉 ;

朱敏杰 ;

马跃 .

中国专利 :CN101976707A ,2011-02-16

[2]

选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 [P].

包诞文 .

中国专利 :CN102723401A ,2012-10-10

[3]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

陈坤 ;

郭爱华 ;

郑战军 ;

许佳平 ;

陈亮 .

中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26

[4]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[5]

选择性发射极太阳电池的制备方法 [P].

徐冬星 ;

石劲超 .

中国专利 :CN101950780B ,2011-01-19

[6]

一种选择性发射极太阳电池 [P].

班群 ;

康凯 ;

陈刚 .

中国专利 :CN202585438U ,2012-12-05

[7]

一种选择性发射极多晶硅太阳电池的制备方法 [P].

张为国 ;

龙维绪 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN103178157A ,2013-06-26

[8]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

闻震利 ;

张辉 ;

窦永铭 .

中国专利 :CN202049973U ,2011-11-23

[9]

具有选择性发射极结构的晶体硅太阳电池 [P].

梁宗存 ;

曾飞 ;

沈辉 .

中国专利 :CN202076275U ,2011-12-14

[10]

制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法 [P].

方结彬 .

中国专利 :CN102082210A ,2011-06-01

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