一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210546452.4

申请日：

2022-05-19

公开(公告)号：

CN114937707B

公开(公告)日：

2024-08-20

发明(设计)人：

杨新波高锟

申请人：

苏州大学

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴中区石湖西路188号

IPC主分类号：

H01L31/0216

IPC分类号：

H01L31/0224 H01L31/068

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

夏苏娟

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池 [P].

杨新波 ;

高锟 .

中国专利 :CN114937707A ,2022-08-23

[2]

一种晶硅太阳电池表面钝化材料 [P].

杨新波 ;

高锟 .

中国专利 :CN114944433A ,2022-08-26

[3]

多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池 [P].

于威 ;

黄艳红 ;

贾丽哲 ;

刘林卿 ;

时晓萌 ;

刘啸宇 ;

路万兵 ;

丛日东 .

中国专利 :CN113410334A ,2021-09-17

[4]

一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法 [P].

丁建宁 ;

李绿洲 .

中国专利 :CN113328011B ,2021-08-31

[5]

一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池 [P].

张树德 ;

魏青竹 ;

钱洪强 ;

况亚伟 ;

李跃 ;

连维飞 ;

倪志春 ;

刘玉申 ;

杨希峰 .

中国专利 :CN210668389U ,2020-06-02

[6]

一种双面钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

何坚 ;

钟卓彤 ;

高平奇 .

中国专利 :CN119997670A ,2025-05-13

[7]

氧化碲钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

谢一博 ;

李林华 .

中国专利 :CN118867046A ,2024-10-29

[8]

一种晶硅太阳电池 [P].

方结彬 .

中国专利 :CN201877442U ,2011-06-22

[9]

正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

张树德 ;

魏青竹 ;

钱洪强 ;

李跃 ;

连维飞 ;

倪志春 ;

刘玉申 ;

杨希峰 .

中国专利 :CN110828583A ,2020-02-21

[10]

晶硅PERC太阳电池双面钝化方法 [P].

刘娟 .

中国专利 :CN109888057A ,2019-06-14

← 1 2 3 4 5 →