一种晶硅太阳电池表面钝化材料

被引：0

申请号：

CN202210545451.8

申请日：

2022-05-19

公开(公告)号：

CN114944433A

公开(公告)日：

2022-08-26

发明(设计)人：

杨新波高锟

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴中区石湖西路188号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L31068 H01L3118

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

夏苏娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20220519
2022-08-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池 [P].

杨新波 ;

高锟 .

中国专利 :CN114937707B ,2024-08-20

[2]

一种电子钝化接触结构及晶硅太阳电池 [P].

杨新波 ;

高锟 .

中国专利 :CN114937707A ,2022-08-23

[3]

一种晶硅太阳电池 [P].

方结彬 .

中国专利 :CN201877442U ,2011-06-22

[4]

晶硅PERC太阳电池双面钝化方法 [P].

刘娟 .

中国专利 :CN109888057A ,2019-06-14

[5]

双面钝化高效硅太阳电池 [P].

周之斌 ;

高振华 ;

周金莲 ;

孙娜娜 ;

杨健 ;

韩冰 ;

熊友权 ;

童朝俊 ;

李友杰 ;

金苇 ;

郭明星 .

中国专利 :CN202103060U ,2012-01-04

[6]

一种双面钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

何坚 ;

钟卓彤 ;

高平奇 .

中国专利 :CN119997670A ,2025-05-13

[7]

一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池 [P].

张树德 ;

魏青竹 ;

钱洪强 ;

况亚伟 ;

李跃 ;

连维飞 ;

倪志春 ;

刘玉申 ;

杨希峰 .

中国专利 :CN210668389U ,2020-06-02

[8]

一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

吕文辉 ;

王行柱 ;

朱训进 ;

吴卫平 ;

黄维扬 .

中国专利 :CN106449813A ,2017-02-22

[9]

一种晶硅太阳电池钝化膜的制备方法 [P].

郑新霞 ;

方霆 .

中国专利 :CN104362185A ,2015-02-18

[10]

一种双面晶硅太阳电池 [P].

盛赟 .

中国专利 :CN206271712U ,2017-06-20

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