用于优化非晶硅的结晶的系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780029667.2

申请日：

2007-07-23

公开(公告)号：

CN101517135A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

B·A·特克 B·伯范德特 D·S·诺尔斯

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡城

IPC主分类号：

C30B3500

IPC分类号：

代理机构：

北京嘉和天工知识产权代理事务所

代理人：

严慎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-26	公开	公开
2010-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003968803 IPC(主分类):C30B 35/00 专利申请号:2007800296672 公开日:20090826

共 50 条

[1]

用于监测非晶硅薄膜的结晶的方法和系统 [P].

麦单洽克·伊万 ;

苏炳洙 ;

李东炫 ;

李源必 .

中国专利 :CN104134616A ,2014-11-05

[2]

非晶质硅膜的结晶方法 [P].

柳明官 ;

李镐年 ;

朴宰徹 ;

金亿洙 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1622280A ,2005-06-01

[3]

用于非晶硅的结晶化的热处理系统 [P].

张泽龙 ;

李炳一 ;

李永浩 ;

张锡弼 .

中国专利 :CN101236896A ,2008-08-06

[4]

用于非晶硅衬底的均匀结晶的基于光纤激光器的系统 [P].

曼纽尔·莱昂纳多 ;

迈克尔·冯达尔曾 ;

尤里·叶罗欣 .

中国专利 :CN107924827B ,2018-04-17

[5]

一种结晶非晶硅的方法 [P].

尹溱模 .

中国专利 :CN1389600A ,2003-01-08

[6]

抗结晶的基于非晶硅的膜 [P].

A·爱丁 ;

K·尼塔拉 ;

K·嘉纳基拉曼 ;

Y·杨 ;

G·K·赫玛尼 .

中国专利 :CN114830294A ,2022-07-29

[7]

非晶硅牺牲膜的制备方法和用于形成非晶硅的组合物 [P].

中本奈绪子 ;

藤原嵩士 ;

佐藤敦彦 .

中国专利 :CN113166424A ,2021-07-23

[8]

非晶硅层的结晶方法及其光掩模 [P].

朱芳村 ;

林家兴 .

中国专利 :CN101140853A ,2008-03-12

[9]

利用掩膜使非晶硅结晶的方法 [P].

郑允皓 .

中国专利 :CN1252796C ,2003-01-01

[10]

非晶硅结晶法 [P].

梁明秀 .

中国专利 :CN1396317A ,2003-02-12

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