非晶硅结晶法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN02122832.9
申请日
2002-06-06
公开(公告)号
CN1396317A
公开(公告)日
2003-02-12
发明(设计)人
梁明秀
申请人
申请人地址
韩国汉城
IPC主分类号
C30B2802
IPC分类号
C30B2906 G02F113 H01L2120 H01L2136
代理机构
隆天国际专利商标代理有限公司
代理人
徐金国;陈红
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种结晶非晶硅的方法 [P]. 
尹溱模 .
中国专利 :CN1389600A ,2003-01-08
[2]
非晶硅层的结晶方法及其光掩模 [P]. 
朱芳村 ;
林家兴 .
中国专利 :CN101140853A ,2008-03-12
[3]
结晶掩模、非晶硅结晶方法及利用其制造阵列基板的方法 [P]. 
金营株 .
中国专利 :CN100356506C ,2004-07-21
[4]
薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法 [P]. 
金营株 .
中国专利 :CN1310284C ,2004-07-21
[5]
抗结晶的基于非晶硅的膜 [P]. 
A·爱丁 ;
K·尼塔拉 ;
K·嘉纳基拉曼 ;
Y·杨 ;
G·K·赫玛尼 .
中国专利 :CN114830294A ,2022-07-29
[6]
非晶硅垂直滤色片 [P]. 
R·B·梅里尔 ;
R·A·马丁 .
中国专利 :CN1938863A ,2007-03-28
[7]
用于非晶硅的结晶化的热处理系统 [P]. 
张泽龙 ;
李炳一 ;
李永浩 ;
张锡弼 .
中国专利 :CN101236896A ,2008-08-06
[8]
非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术 [P]. 
王文 ;
郭海成 ;
孟志国 ;
张冬利 ;
施雪捷 .
中国专利 :CN101064246B ,2007-10-31
[9]
利用掩膜使非晶硅结晶的方法 [P]. 
郑允皓 .
中国专利 :CN1252796C ,2003-01-01
[10]
非晶硅金属诱导晶化方法 [P]. 
郭海成 ;
王文 ;
孟志国 ;
赵淑云 ;
吴春亚 .
中国专利 :CN101086962A ,2007-12-12