非晶硅的金属诱导结晶和金属吸除技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610139876.X

申请日：

2006-09-20

公开(公告)号：

CN101064246B

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

王文郭海成孟志国张冬利施雪捷

申请人：

申请人地址：

中国香港九龙清水湾

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21322 H01L21336 H01L2184

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王忠忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-18	授权	授权
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-09-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20060920 授权公告日:20110518 终止日期:20190920
2007-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶硅金属诱导晶化方法 [P].

郭海成 ;

王文 ;

孟志国 ;

赵淑云 ;

吴春亚 .

中国专利 :CN101086962A ,2007-12-12

[2]

多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

金晶 ;

戴文韫 ;

瞿晓雷 ;

邱宇峰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103489749A ,2014-01-01

[3]

金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法 [P].

朱开贵 ;

陈芳芳 .

中国专利 :CN102751175A ,2012-10-24

[4]

准分子激光辅助醋酸镍溶液金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

金晶 ;

戴文韫 ;

惠朝先 ;

刘灿 ;

史伟民 .

中国专利 :CN104022023A ,2014-09-03

[5]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

[6]

一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法 [P].

周志文 ;

曾祥斌 ;

宋佩珂 .

中国专利 :CN101750436A ,2010-06-23

[7]

浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用 [P].

孟志国 ;

吴春亚 ;

熊绍珍 ;

赵淑云 .

中国专利 :CN100419959C ,2006-05-17

[8]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[9]

一种基于金属诱导的多晶硅薄膜 [P].

黄宇华 ;

黄飚 ;

彭俊华 .

中国专利 :CN101834211A ,2010-09-15

[10]

用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

金晶 ;

陈盛 ;

陈洁利 ;

余俊阳 ;

黄璐 .

中国专利 :CN101710568A ,2010-05-19

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