用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910199555.2

申请日：

2009-11-26

公开(公告)号：

CN101710568A

公开(公告)日：

2010-05-19

发明(设计)人：

史伟民金晶陈盛陈洁利余俊阳黄璐

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2130 H01L3118

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003679499 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009101995552 申请日:20091126
2011-12-21	授权	授权
2010-05-19	公开	公开
2016-01-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643314127 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2009101995552 申请日:20091126 授权公告日:20111221 终止日期:20141126

共 50 条

[1]

准分子激光辅助醋酸镍溶液金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

金晶 ;

戴文韫 ;

惠朝先 ;

刘灿 ;

史伟民 .

中国专利 :CN104022023A ,2014-09-03

[2]

两步退火辅助氯化镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

金晶 ;

瞿晓雷 ;

史伟民 ;

邱宇峰 ;

周平生 ;

廖阳 .

中国专利 :CN102709182A ,2012-10-03

[3]

多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

金晶 ;

戴文韫 ;

瞿晓雷 ;

邱宇峰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103489749A ,2014-01-01

[4]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[5]

利用氯化铝升华诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

孙杰 .

中国专利 :CN102320757A ,2012-01-18

[6]

非晶硅金属诱导晶化方法 [P].

郭海成 ;

王文 ;

孟志国 ;

赵淑云 ;

吴春亚 .

中国专利 :CN101086962A ,2007-12-12

[7]

铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

钱隽 ;

金晶 ;

李季戎 ;

廖阳 ;

王国华 ;

许月阳 .

中国专利 :CN103311105A ,2013-09-18

[8]

干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法 [P].

钱隽 ;

史伟民 ;

廖阳 ;

李季戎 ;

王国华 ;

周平生 .

中国专利 :CN103227239A ,2013-07-31

[9]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

[10]

金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法 [P].

朱开贵 ;

陈芳芳 .

中国专利 :CN102751175A ,2012-10-24

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