非晶硅垂直滤色片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480042762.2

申请日：

2004-05-27

公开(公告)号：

CN1938863A

公开(公告)日：

2007-03-28

发明(设计)人：

R·B·梅里尔 R·A·马丁

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L3100

IPC分类号：

H01L2714

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈炜

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/00 申请日:20040527 授权公告日:20090624 终止日期:20200527
2009-06-24	授权	授权
2007-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直的滤色片传感器组 [P].

R·B·梅里尔 ;

R·F·里昂 ;

R·M·特纳 ;

R·S·汉尼博 ;

R·A·马丁 .

中国专利 :CN1943041A ,2007-04-04

[2]

带有载流子收集单元的垂直滤色片传感器组 [P].

R·B·梅里尔 ;

R·F·里昂 ;

R·M·特纳 ;

P·M·休比尔 .

中国专利 :CN1943042A ,2007-04-04

[3]

多层非晶硅的制造方法 [P].

吴协霖 .

中国专利 :CN1048820C ,1997-12-10

[4]

非晶硅－晶体硅异质结太阳电池 [P].

袁晓 ;

李涛勇 .

中国专利 :CN101043058A ,2007-09-26

[5]

非晶硅金属诱导晶化方法 [P].

郭海成 ;

王文 ;

孟志国 ;

赵淑云 ;

吴春亚 .

中国专利 :CN101086962A ,2007-12-12

[6]

使氢化非晶硅和非晶氢化硅合金稳定化的方法 [P].

B·海克麦特朔-塔巴里 ;

M·霍普斯塔肯 ;

朴大奎 ;

D·K·萨达那 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103718276B ,2014-04-09

[7]

非晶硅结晶法 [P].

梁明秀 .

中国专利 :CN1396317A ,2003-02-12

[8]

垂直滤色片传感器组及其制造所用的半导体集成电路制造方法 [P].

R·B·梅里尔 ;

R·A·马丁 .

中国专利 :CN100573907C ,2007-03-28

[9]

非晶硅光位置敏感器件 [P].

苏子敏 ;

彭少麒 .

中国专利 :CN1031779A ,1989-03-15

[10]

非晶硅薄膜形成方法 [P].

朱黎敏 ;

陆涵蔚 ;

华光平 ;

徐云 ;

张博 .

中国专利 :CN113506721A ,2021-10-15

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