多层非晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97100900.7

申请日：

1997-04-04

公开(公告)号：

CN1048820C

公开(公告)日：

1997-12-10

发明(设计)人：

吴协霖

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路123号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2170

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

刘晓峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-12-10	公开	公开
2000-01-26	授权	授权
2017-05-24	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101722425982 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL971009007 申请日:19970404 授权公告日:20000126 终止日期:无
1997-12-10	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

非晶硅结构的制造方法 [P].

龚昌鸿 ;

胡宗福 ;

胡秀梅 ;

陈建勋 ;

胡展源 .

中国专利 :CN111415907A ,2020-07-14

[2]

形成非晶硅多层结构的方法 [P].

陈美玲 ;

刘玮鑫 ;

陈意维 ;

张景翔 ;

李瑞珉 ;

张家隆 ;

吴姿锦 ;

邹世芳 .

中国专利 :CN108269732A ,2018-07-10

[3]

非晶硅垂直滤色片 [P].

R·B·梅里尔 ;

R·A·马丁 .

中国专利 :CN1938863A ,2007-03-28

[4]

非晶硅薄膜形成方法 [P].

朱黎敏 ;

陆涵蔚 ;

华光平 ;

徐云 ;

张博 .

中国专利 :CN113506721A ,2021-10-15

[5]

非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN101894747A ,2010-11-24

[6]

非晶硅复合体的制造方法及非晶硅复合体的制造装置 [P].

崔锺五 ;

兪钟植 .

中国专利 :CN115348949A ,2022-11-15

[7]

非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 .

中国专利 :CN109285759A ,2019-01-29

[8]

沉积非晶硅膜的方法 [P].

加施·帕特尔 ;

刘玉菲 .

中国专利 :CN103938179A ,2014-07-23

[9]

多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池 [P].

冈田纯平 ;

中山幸仁 ;

和田武 .

中国专利 :CN112004777A ,2020-11-27

[10]

多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池 [P].

冈田纯平 ;

中山幸仁 ;

和田武 .

日本专利 :CN112004777B ,2025-03-07

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