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多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980017973.7
申请日：
2019-09-13
公开(公告)号：
CN112004777B
公开(公告)日：
2025-03-07
发明(设计)人：
冈田纯平 中山幸仁 和田武
申请人：
国立大学法人东北大学
申请人地址：
日本宫城县
IPC主分类号：
C01B33/02
IPC分类号：
C01B33/021 H01M4/38
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
张晶;谢顺星
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-07 授权 授权
共 50 条
[1]
多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池 [P]. 
冈田纯平 ;
中山幸仁 ;
和田武 .
中国专利 :CN112004777A ,2020-11-27
[2]
非晶硅结构的制造方法 [P]. 
龚昌鸿 ;
胡宗福 ;
胡秀梅 ;
陈建勋 ;
胡展源 .
中国专利 :CN111415907A ,2020-07-14
[3]
多层非晶硅的制造方法 [P]. 
吴协霖 .
中国专利 :CN1048820C ,1997-12-10
[4]
非水系二次电池多孔膜用组合物、非水系二次电池用多孔膜及非水系二次电池 [P]. 
杉本拓己 .
中国专利 :CN109565016B ,2019-04-02
[5]
多孔硅碳的制备方法、多孔硅碳、复合极片及二次电池 [P]. 
陈诚 ;
李向辉 ;
吴靖 ;
刘婷婷 .
中国专利 :CN119461366A ,2025-02-18
[6]
非水二次电池多孔膜用粘合剂、非水二次电池多孔膜用组合物、非水二次电池用多孔膜及非水二次电池 [P]. 
佐佐木智一 .
中国专利 :CN106030858B ,2016-10-12
[7]
非晶硅复合体的制造方法及非晶硅复合体的制造装置 [P]. 
崔锺五 ;
兪钟植 .
中国专利 :CN115348949A ,2022-11-15
[8]
非晶硅晶化设备及方法 [P]. 
郑义振 ;
金东范 ;
李秀卿 ;
姜明求 ;
金县裁 .
中国专利 :CN100437940C ,2006-03-29
[9]
非水系二次电池多孔膜用组合物、非水系二次电池用多孔膜以及非水系二次电池 [P]. 
浅野顺一 .
中国专利 :CN110770943B ,2020-02-07
[10]
稳定的非晶硅核电池 [P]. 
李沅民 ;
马昕 .
中国专利 :CN101236796A ,2008-08-06
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