稳定的非晶硅核电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710002566.8

申请日：

2007-01-29

公开(公告)号：

CN101236796A

公开(公告)日：

2008-08-06

发明(设计)人：

李沅民马昕

申请人：

申请人地址：

100086北京市海淀区中关村南大街2号数码大厦B－901北京行者多媒体科技有限公司

IPC主分类号：

G21H106

IPC分类号：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-08	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101098269003 IPC(主分类):G21H 1/06 专利号:无专利申请号:2007100025668 收件人:马昕文件名称:第一次审查意见通知书
2012-06-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101384326610 IPC(主分类):G21H 1/06 专利申请号:2007100025668 公开日:20080806
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶硅碳薄膜核电池 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101236794A ,2008-08-06

[2]

非晶硅多结核电池 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101236795A ,2008-08-06

[3]

使得非晶硅电池变得更稳定的化学退火办法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101235492A ,2008-08-06

[4]

设有非晶硅薄膜电池的砌块 [P].

陆明 ;

陆新华 ;

赖有猷 .

中国专利 :CN202519864U ,2012-11-07

[5]

一种晶硅/非晶硅异质结电池 [P].

黄金 ;

李高非 ;

王继磊 ;

杨骥 ;

张娟 ;

白焱辉 ;

贾慧君 ;

刘学飞 ;

李文敏 .

中国专利 :CN211238272U ,2020-08-11

[6]

多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池 [P].

冈田纯平 ;

中山幸仁 ;

和田武 .

中国专利 :CN112004777A ,2020-11-27

[7]

多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池 [P].

冈田纯平 ;

中山幸仁 ;

和田武 .

日本专利 :CN112004777B ,2025-03-07

[8]

使氢化非晶硅和非晶氢化硅合金稳定化的方法 [P].

B·海克麦特朔-塔巴里 ;

M·霍普斯塔肯 ;

朴大奎 ;

D·K·萨达那 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103718276B ,2014-04-09

[9]

改进非晶硅太阳能电池稳定性的方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101246925A ,2008-08-20

[10]

有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 [P].

张长沙 ;

王占国 ;

石明吉 ;

彭文博 ;

刘石勇 ;

肖海波 ;

廖显伯 ;

孔光临 ;

曾湘波 .

中国专利 :CN101488560A ,2009-07-22

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