非晶硅晶化设备及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480005096.5

申请日：

2004-02-24

公开(公告)号：

CN100437940C

公开(公告)日：

2006-03-29

发明(设计)人：

郑义振金东范李秀卿姜明求金县裁

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L21268

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-29	公开	公开
2008-11-26	授权	授权
2012-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101474348953 IPC(主分类):H01L 21/324 专利号:ZL2004800050965 变更事项:专利权人变更前权利人:三星电子株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121029
2006-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非晶硅金属诱导晶化方法 [P].

郭海成 ;

王文 ;

孟志国 ;

赵淑云 ;

吴春亚 .

中国专利 :CN101086962A ,2007-12-12

[2]

金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法 [P].

朱开贵 ;

陈芳芳 .

中国专利 :CN102751175A ,2012-10-24

[3]

一种感应加热非晶硅晶化方法 [P].

陈科 ;

刘红君 .

中国专利 :CN102465338A ,2012-05-23

[4]

利用焦耳加热晶化非晶硅的方法 [P].

卢在相 ;

洪沅义 .

中国专利 :CN101395706A ,2009-03-25

[5]

非晶硅薄膜转晶硅薄膜专用设备 [P].

范继良 .

中国专利 :CN221900025U ,2024-10-25

[6]

非晶硅薄膜转晶硅薄膜专用设备 [P].

范继良 .

中国专利 :CN117577741A ,2024-02-20

[7]

非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN101894747A ,2010-11-24

[8]

非晶硅结晶法 [P].

梁明秀 .

中国专利 :CN1396317A ,2003-02-12

[9]

一种多晶硅的晶化方法、晶化设备及多晶硅 [P].

班圣光 .

中国专利 :CN107119329A ,2017-09-01

[10]

多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池 [P].

冈田纯平 ;

中山幸仁 ;

和田武 .

中国专利 :CN112004777A ,2020-11-27

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