利用焦耳加热晶化非晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780007510.X

申请日：

2007-03-05

公开(公告)号：

CN101395706A

公开(公告)日：

2009-03-25

发明(设计)人：

卢在相洪沅义

申请人：

申请人地址：

韩国首尔市

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/324 申请日:20070305 授权公告日:20110406 终止日期:20190305
2010-09-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007129174 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:200780007510X 变更事项:申请人变更前权利人:卢在相变更后权利人:思稀特股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔市变更后权利人:韩国首尔市登记生效日:20100721
2016-08-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101737923392 IPC(主分类):H01L 21/324 专利号:ZL200780007510X 登记生效日:20160803 变更事项:专利权人变更前权利人:思稀特股份有限公司变更后权利人:达文希斯股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔市变更后权利人:韩国京畿道安山市檀园
2009-03-25	公开	公开
2011-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种感应加热非晶硅晶化方法 [P].

陈科 ;

刘红君 .

中国专利 :CN102465338A ,2012-05-23

[2]

利用氯化铝升华诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

孙杰 .

中国专利 :CN102320757A ,2012-01-18

[3]

金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法 [P].

朱开贵 ;

陈芳芳 .

中国专利 :CN102751175A ,2012-10-24

[4]

非晶硅金属诱导晶化方法 [P].

郭海成 ;

王文 ;

孟志国 ;

赵淑云 ;

吴春亚 .

中国专利 :CN101086962A ,2007-12-12

[5]

非晶硅晶化设备及方法 [P].

郑义振 ;

金东范 ;

李秀卿 ;

姜明求 ;

金县裁 .

中国专利 :CN100437940C ,2006-03-29

[6]

一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法 [P].

杨雯 ;

段良飞 ;

张力元 ;

杨培志 ;

自兴发 ;

冷天玖 .

中国专利 :CN103060768A ,2013-04-24

[7]

用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

金晶 ;

陈盛 ;

陈洁利 ;

余俊阳 ;

黄璐 .

中国专利 :CN101710568A ,2010-05-19

[8]

制备非晶硅薄膜的方法 [P].

宋利娟 .

中国专利 :CN110970287B ,2020-04-07

[9]

非晶硅薄膜的处理方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101235490A ,2008-08-06

[10]

非晶硅薄膜的制备方法 [P].

杨远成 .

中国专利 :CN120719282A ,2025-09-30

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