一种感应加热非晶硅晶化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010547714.6

申请日：

2010-11-17

公开(公告)号：

CN102465338A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

陈科刘红君

申请人：

申请人地址：

201204 上海市浦东新区张江高科技园区张衡路200号1号楼2楼

IPC主分类号：

C30B2802

IPC分类号：

H05B610 H01L2102

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司 31001

代理人：

吴宝根

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101702561869 IPC(主分类):C30B 28/02 专利申请号:2010105477146 申请公布日:20120523
2012-05-23	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶硅金属诱导晶化方法 [P].

郭海成 ;

王文 ;

孟志国 ;

赵淑云 ;

吴春亚 .

中国专利 :CN101086962A ,2007-12-12

[2]

一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法 [P].

杨雯 ;

段良飞 ;

张力元 ;

杨培志 ;

自兴发 ;

冷天玖 .

中国专利 :CN103060768A ,2013-04-24

[3]

利用焦耳加热晶化非晶硅的方法 [P].

卢在相 ;

洪沅义 .

中国专利 :CN101395706A ,2009-03-25

[4]

非晶硅晶化设备及方法 [P].

郑义振 ;

金东范 ;

李秀卿 ;

姜明求 ;

金县裁 .

中国专利 :CN100437940C ,2006-03-29

[5]

用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

金晶 ;

陈盛 ;

陈洁利 ;

余俊阳 ;

黄璐 .

中国专利 :CN101710568A ,2010-05-19

[6]

干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法 [P].

钱隽 ;

史伟民 ;

廖阳 ;

李季戎 ;

王国华 ;

周平生 .

中国专利 :CN103227239A ,2013-07-31

[7]

金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法 [P].

朱开贵 ;

陈芳芳 .

中国专利 :CN102751175A ,2012-10-24

[8]

利用氯化铝升华诱导晶化非晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

孙杰 .

中国专利 :CN102320757A ,2012-01-18

[9]

非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN101894747A ,2010-11-24

[10]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

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