非晶硅－晶体硅异质结太阳电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610024876.5

申请日：

2006-03-20

公开(公告)号：

CN101043058A

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

袁晓李涛勇

申请人：

申请人地址：

201108上海市莘庄工业区申南路555号

IPC主分类号：

H01L31042

IPC分类号：

H01L31072 H01L310376

代理机构：

上海航天局专利中心

代理人：

金家山

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-26	公开	公开
2008-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

晶体硅-非晶硅异质结太阳电池 [P].

李志强 ;

黄岳文 ;

易月星 ;

唐则祁 ;

胡宏勋 .

中国专利 :CN201349015Y ,2009-11-18

[2]

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池 [P].

石建华 ;

孟凡英 ;

刘正新 .

中国专利 :CN209104182U ,2019-07-12

[3]

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法 [P].

石建华 ;

孟凡英 ;

刘正新 .

中国专利 :CN111435693A ,2020-07-21

[4]

硅异质结太阳电池 [P].

田宏波 ;

王伟 ;

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

宗军 ;

李洋 ;

杨瑞鹏 ;

周永谋 .

中国专利 :CN207398153U ,2018-05-22

[5]

硅异质结太阳电池 [P].

王伟 ;

田宏波 ;

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

宗军 ;

李洋 ;

杨瑞鹏 ;

周永谋 .

中国专利 :CN207233747U ,2018-04-13

[6]

硅异质结太阳电池 [P].

赵晓霞 ;

王伟 ;

田宏波 ;

王雪松 ;

王恩宇 ;

宗军 .

中国专利 :CN110649129A ,2020-01-03

[7]

硅异质结太阳电池 [P].

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

王伟 ;

田宏波 ;

周永谋 ;

杨瑞鹏 ;

宗军 ;

李洋 .

中国专利 :CN207398154U ,2018-05-22

[8]

硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法 [P].

王伟 ;

赵晓霞 ;

宿世超 ;

田宏波 ;

王雪松 ;

宗军 ;

李洋 .

中国专利 :CN113937192B ,2024-12-06

[9]

硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法 [P].

王伟 ;

赵晓霞 ;

宿世超 ;

田宏波 ;

王雪松 ;

宗军 ;

李洋 .

中国专利 :CN113937192A ,2022-01-14

[10]

硅异质结太阳电池制备设备 [P].

朱锋 .

中国专利 :CN117438491A ,2024-01-23

← 1 2 3 4 5 →