硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110872638.4

申请日：

2021-07-30

公开(公告)号：

CN113937192B

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

王伟赵晓霞宿世超田宏波王雪松宗军李洋

申请人：

国家电投集团科学技术研究院有限公司国家电投集团新能源科技有限公司

申请人地址：

102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层

IPC主分类号：

H01L31/20

IPC分类号：

H01L21/02

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

曲进华

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

北京市市辖区

引用

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共 50 条

[1]

硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法 [P].

王伟 ;

赵晓霞 ;

宿世超 ;

田宏波 ;

王雪松 ;

宗军 ;

李洋 .

中国专利 :CN113937192A ,2022-01-14

[2]

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池 [P].

石建华 ;

孟凡英 ;

刘正新 .

中国专利 :CN209104182U ,2019-07-12

[3]

非晶硅－晶体硅异质结太阳电池 [P].

袁晓 ;

李涛勇 .

中国专利 :CN101043058A ,2007-09-26

[4]

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法 [P].

石建华 ;

孟凡英 ;

刘正新 .

中国专利 :CN111435693A ,2020-07-21

[5]

硅异质结太阳电池 [P].

王伟 ;

田宏波 ;

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

宗军 ;

李洋 ;

杨瑞鹏 ;

周永谋 .

中国专利 :CN207233747U ,2018-04-13

[6]

晶体硅-非晶硅异质结太阳电池 [P].

李志强 ;

黄岳文 ;

易月星 ;

唐则祁 ;

胡宏勋 .

中国专利 :CN201349015Y ,2009-11-18

[7]

硅异质结太阳电池 [P].

赵晓霞 ;

王伟 ;

田宏波 ;

王雪松 ;

王恩宇 ;

宗军 .

中国专利 :CN110649129A ,2020-01-03

[8]

晶硅异质结太阳电池结构及其制备方法 [P].

沈文忠 ;

丁东 ;

李正平 ;

杜大学 ;

贺礼 .

中国专利 :CN117878178A ,2024-04-12

[9]

硅异质结太阳电池制备设备 [P].

朱锋 .

中国专利 :CN117438491A ,2024-01-23

[10]

硅异质结太阳电池 [P].

田宏波 ;

王伟 ;

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

宗军 ;

李洋 ;

杨瑞鹏 ;

周永谋 .

中国专利 :CN207398153U ,2018-05-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-26	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 31/20变更事项:专利权人变更前:国家电投集团科学技术研究院有限公司变更后:国家电投集团科学技术研究院有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层变更后:102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层变更事项:专利权人变更前:国电投新能源科技有限公司变更后:江西电投新能源科技有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国
2025-07-11	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 31/20变更事项:专利权人变更前:国家电投集团科学技术研究院有限公司变更后:国家电投集团科学技术研究院有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层变更后:102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层变更事项:专利权人变更前:国家电投集团新能源科技有限公司变更后:国电投新能源科技有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国
2024-12-06	授权	授权