非晶硅层的结晶方法及其光掩模

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610151610.7

申请日：

2006-09-07

公开(公告)号：

CN101140853A

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

朱芳村林家兴

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L21268 B23K2606 G03F114

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-12	公开	公开
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003375639 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2006101516107 公开日:20080312

共 50 条

[1]

结晶掩模、非晶硅结晶方法及利用其制造阵列基板的方法 [P].

金营株 .

中国专利 :CN100356506C ,2004-07-21

[2]

非晶硅结晶法 [P].

梁明秀 .

中国专利 :CN1396317A ,2003-02-12

[3]

一种结晶非晶硅的方法 [P].

尹溱模 .

中国专利 :CN1389600A ,2003-01-08

[4]

使非晶硅层结晶的方法、薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李东炫 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

郑珉在 ;

孙榕德 ;

苏炳洙 ;

朴承圭 ;

李吉远 ;

郑胤谟 ;

朴炳建 ;

朴钟力 ;

李卓泳 ;

郑在琓 .

中国专利 :CN102214556B ,2011-10-12

[5]

薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法 [P].

金营株 .

中国专利 :CN1310284C ,2004-07-21

[6]

用于连续侧向结晶的掩膜及用此掩膜结晶非晶硅层的方法 [P].

孙铭伟 .

中国专利 :CN1909189A ,2007-02-07

[7]

多晶硅层的结晶方法 [P].

林敬伟 .

中国专利 :CN1310282C ,2005-02-16

[8]

利用掩膜使非晶硅结晶的方法 [P].

郑允皓 .

中国专利 :CN1252796C ,2003-01-01

[9]

抗结晶的基于非晶硅的膜 [P].

A·爱丁 ;

K·尼塔拉 ;

K·嘉纳基拉曼 ;

Y·杨 ;

G·K·赫玛尼 .

中国专利 :CN114830294A ,2022-07-29

[10]

去除沟槽内非晶硅层的方法 [P].

吕佳韦 ;

谢玟茜 ;

刘立尧 ;

胡展源 .

中国专利 :CN112289681A ,2021-01-29

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