非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880021931.2

申请日：

2008-06-13

公开(公告)号：

CN101688288A

公开(公告)日：

2010-03-31

发明(设计)人：

生泽正克矢作政隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C04B3500 C23C1434 C23C1458 H01B514 H01B1300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101066890011 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2008800219312 变更事项:申请人变更前权利人:日矿金属株式会社变更后权利人:JX日矿日石金属株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20110104
2010-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001743777 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2008800219312 申请日:20080613
2015-12-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101725703757 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2008800219312 申请公布日:20100331
2010-03-31	公开	公开
2012-08-08	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101435334069 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2008800219312 变更事项:发明人变更前:生泽正克;矢作政隆变更后:生泽正克;矢作政隆;长田幸三;挂野崇

共 50 条

[1]

非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 ;

长田幸三 ;

挂野崇 .

中国专利 :CN105063555A ,2015-11-18

[2]

复合氧化物烧结体、非晶复合氧化膜及其制造方法和晶体复合氧化膜及其制造方法 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 ;

长田幸三 ;

挂野崇 .

中国专利 :CN101687708B ,2010-03-31

[3]

非晶氧化物膜的制造方法 [P].

岩崎达哉 .

中国专利 :CN102496577A ,2012-06-13

[4]

非晶氧化物膜的制造方法 [P].

岩崎达哉 .

中国专利 :CN101859711B ,2010-10-13

[5]

非晶质硅膜的结晶方法 [P].

柳明官 ;

李镐年 ;

朴宰徹 ;

金亿洙 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1622280A ,2005-06-01

[6]

复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

仓持豪人 ;

玉野公章 ;

秋池良 ;

饭草仁志 .

中国专利 :CN104520467A ,2015-04-15

[7]

复合氧化物、烧结体、固体电解质及其制造方法 [P].

潘伟 ;

李彬 ;

刘巍 ;

刘红芹 ;

川井将司 .

中国专利 :CN101901922A ,2010-12-01

[8]

非晶质氧化物半导体膜、氧化物烧结体以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

柴田雅敏 .

中国专利 :CN110234785B ,2019-09-13

[9]

非晶质透明导电膜和非晶质透明导电膜的制造方法 [P].

岛根幸朗 ;

井上一吉 ;

松原雅人 ;

田中信夫 ;

笘井重和 ;

矢野公规 ;

松崎滋夫 .

中国专利 :CN101138052B ,2008-03-05

[10]

复合氧化物催化剂、多孔质复合体以及复合氧化物催化剂的制造方法 [P].

中岛拓哉 ;

泉有仁枝 .

中国专利 :CN112569923A ,2021-03-30

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