非晶质氧化物半导体膜、氧化物烧结体以及薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880009057.4

申请日：

2018-01-31

公开(公告)号：

CN110234785B

公开(公告)日：

2019-09-13

发明(设计)人：

井上一吉柴田雅敏

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C04B3501 C23C1434 H01L21203 H01L29786

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

毛立群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20180131
2019-09-13	公开	公开
2022-05-24	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

柴田雅敏 .

中国专利 :CN110447093A ,2019-11-12

[2]

氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

柴田雅敏 .

中国专利 :CN110234789A ,2019-09-13

[3]

氧化物半导体膜、薄膜晶体管、溅射靶和氧化物烧结体 [P].

越智元隆 ;

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

宫田浩一 .

日本专利 :CN118901142A ,2024-11-05

[4]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[8]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[9]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[10]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

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