氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880012548.4

申请日：

2018-02-15

公开(公告)号：

CN110447093A

公开(公告)日：

2019-11-12

发明(设计)人：

井上一吉柴田雅敏

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L21363

IPC分类号：

C04B35453 C23C1408 C23C1434 H01L29786

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

毛立群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/363 申请日:20180215
2019-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶 [P].

井上一吉 ;

柴田雅敏 .

中国专利 :CN110234789A ,2019-09-13

[2]

氧化物半导体膜、薄膜晶体管、溅射靶和氧化物烧结体 [P].

越智元隆 ;

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

宫田浩一 .

日本专利 :CN118901142A ,2024-11-05

[3]

薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材 [P].

上野充 ;

清田淳也 ;

小林大士 ;

武井应树 ;

高桥一寿 ;

日高浩二 ;

川越裕 ;

武末健太郎 ;

和田优 .

中国专利 :CN108352410B ,2018-07-31

[4]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

后藤裕史 ;

越智元隆 ;

日野绫 .

中国专利 :CN111226307B ,2020-06-02

[5]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

日本专利 :CN114761607B ,2024-06-28

[6]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

越智元隆 ;

后藤裕史 .

日本专利 :CN113348562B ,2024-04-23

[7]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

越智元隆 ;

后藤裕史 .

中国专利 :CN113348562A ,2021-09-03

[8]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

中国专利 :CN114761607A ,2022-07-15

[9]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

笘井重和 ;

柴田雅敏 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN109071359B ,2018-12-21

[10]

溅射靶、氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管以及电子设备 [P].

大山正嗣 ;

丝濑麻美 .

中国专利 :CN111032905A ,2020-04-17

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